iPhone 20：苹果直接跳过19，明年这台二十周年纪念机，变化大到离谱！

• 2026-10-08
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iPhone 18 Pro刚发布一个月，iPhone 20的爆料就已经铺天盖地了。没错，苹果大概率会跳过iPhone 19这个名字，直接叫iPhone 20，就像当年跳过iPhone 9直接出iPhone X一样，加上明年正好是iPhone问世二十周年，苹果显然想搞个大的。 发布时间预计还是明年九月，不过彭博社的古尔曼说苹果内部已经深入开发了，设计基本定型。从目前各路爆料汇总来看，这一代的改动幅度可能是iPhone X之后最大的一次。 先说外观。iPhone 20预计会采用四边微曲的全玻璃机身，前后玻璃通过弧面过渡衔接，金属中框会被"藏"起来，正常角度几乎看不到。注意这不是以前三星那种大曲面瀑布屏，苹果跟三星合作的方案叫"等深四曲面"，曲率很浅，属于微曲。实际握持手感应该会比现在的直角边框更贴手，但不会出现误触的问题。 屏幕尺寸也有变化。爆料人冰宇宙和数码闲聊站都给出了具体参数：iPhone 20 Pro大概是6.41英寸、分辨率2686x1236，Pro Max是6.96英寸、分辨率2912x1340。对比一下刚发售的iPhone 18 Pro是6.27英寸，Pro Max是6.86英寸，都大了一圈。尤其Pro Max的6.96英寸，苹果到时候宣传大概率会直接说"7英寸"。像素密度依然维持460ppi左右，屏幕变大但精细度没缩水。 关于屏下Face ID和屏下前摄，目前说法比较矛盾。彭博社早期报道说苹果的目标是做到"没有任何屏幕开孔"，可显示行业分析师Ross Young又认为真正的全面屏方案在2030年之前都不太成熟。最新的消息是，苹果内部还在同时测试两个方案，一个完全屏下，一个把灵动岛缩小成更小的打孔。考虑到iPhone Duo的屏下摄像头在画质上还有比较明显的妥协，Pro系列最终用缩小版打孔的可能性其实不低。 按键这次变化也很大。目前爆料显示，iPhone 20会把侧边键、音量键、Action按键和相机控制键全部换成固态按键，没有物理行程，靠内置的触觉反馈模拟按压感，跟MacBook触控板的原理类似。有爆料人称苹果已经通过了戴手套、湿手、极端温度等各种场景测试，而且这颗固态按键由独立的低功耗芯片驱动，关机状态下按压也有反馈。 芯片方面，iPhone 20预计搭载A21 Pro，用的是台积电第二代2nm工艺。iPhone 18 Pro首发的A20 Pro已经是第一代2nm了，到明年第二代在能效上还会再提升一档。配合这颗芯片，苹果据说在考虑用HBM，也就是高带宽内存，目前主要用在AI数据中心的那种。真用上的话，iPhone 20的内存带宽会比现在的LPDDR方案高出一大截，端侧AI推理性能应该受益不小。不过HBM成本也更高，很多人担心iPhone 20涨价，这也是原因之一。 基带芯片预计会用苹果自研的C3。iPhone 18 Pro上已经用了C2，但美国市场好像还是高通方案，C2只在部分海外市场使用。到了iPhone 20，苹果应该会在全球范围内统一切换到自研基带，包括美国本土。 影像部分目前信息相对少一些，但方向比较明确。苹果在自研一款LOFIC图像传感器，用来替代一直以来合作的索尼传感器。LOFIC技术的核心优势是动态范围，苹果的专利显示这颗传感器可以做到20档动态范围，接近电影机的水平。简单说就是拍逆光、大光比场景的时候，亮部和暗部细节都能保留得更好。苹果已经做出了可以工作的原型，如果进度顺利，iPhone 20就是首发机型。至于主摄像素会不会从4800万升到两亿，目前说法不一，摩根士丹利的报告认为两亿像素可能要等到2028年。 电池方面，iPhone 20 Pro Max目前有传闻说电池容量可能到6000mAh。作为对比，iPhone 18 Pro Max是5567mAh。苹果预计会首次在iPhone上采用硅碳负极电池技术，这种电池能量密度更高，同样体积能塞进更多电量。国产手机这两年已经普遍在用了，苹果算是跟进。再配上第二代2nm芯片和自研基带的功耗优化，续航应该会有实打实的提升。 还有一个被砍掉的技术。苹果原本计划在iPhone 20上用COE技术和LTPO+面板，COE可以让OLED更亮更薄，LTPO+能进一步优化刷新率调度。但因为今年内存价格暴涨，整体物料成本太高，这两项技术被暂时搁置了。所以屏幕虽然会变大、会微曲，面板技术这块的提升却没之前预期的那么多。 价格是大家最关心的。目前还没有具体的定价爆料，但从各种迹象来看，涨价基本跑不掉了。iPhone 18 Pro起步价已经到了1199美元，Pro Max是1299美元。内存芯片价格今年涨了将近一倍，Counterpoint的报告说iPhone 18 Pro Max的物料成本比上一代高了将近300美元。如果明年内存价格没有明显回落，再加上全玻璃机身、HBM、自